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失效分析
芯片去層 (Delayer)
描述：
交互使用各種不同處理方式(離子蝕刻/化學(xué)藥液蝕刻/機(jī)械研磨)，使芯片本身多層結(jié)構(gòu)((Passivation、Metal、RDL、PI)可一層一層去除，也就是芯片去層(Delayer)。透過芯片研磨(Polishing)與去層(Delayer)可逐層檢視是否有缺陷，并可提供后續(xù)分析試驗(yàn)，清楚解析出每一層電路布線結(jié)構(gòu)。
分析范圍：
去層主要應(yīng)用在失效分析領(lǐng)域中，涉及多層結(jié)構(gòu)((Passivation、Metal、RDL、PI)層。
失效分析案例中去層圖片：
去層流程：芯片去層（delayer）→OM檢視→金屬層→Contact層→SUB層
芯片去層（delayer）至SUB→OM檢視拍攝→SEM電子及二次電子掃描
創(chuàng)芯在線實(shí)驗(yàn)室檢測(cè)優(yōu)勢(shì)：
1、交期快、成功率高，去層方法多樣，領(lǐng)先市場(chǎng)；
2、為終端客戶在失效分析案件中更直觀準(zhǔn)確的定位失效機(jī)理。
