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材料分析
新型 WLCSP 電路修正技術(shù)
描述： WLCSP (Wafer-level Chip Scale Package)此封裝形式的芯片產(chǎn)品，進(jìn)行FIB線路修補(bǔ)時(shí)，將面臨到大部分電路被表面的錫球與RDL(Redistribution Layer, 線路重布層)遮蓋，這些區(qū)域在過(guò)往是無(wú)法進(jìn)行線路修補(bǔ)的；再者少數(shù)沒(méi)有遮蓋到的部分，因上方較厚的Organic Passivation(有機(jī)護(hù)層)，增加線路修補(bǔ)的難度與工時(shí)。
WLCSP電路修改技術(shù)，已為此類(lèi)產(chǎn)品在錫球、RDL、或有機(jī)護(hù)層下方的區(qū)域，都能執(zhí)行電路修改。
應(yīng)用范圍：晶圓級(jí)芯片尺寸封裝。
檢測(cè)圖片：
WLCSP 電路修改實(shí)例：錫球與有機(jī)護(hù)層下執(zhí)行電路修改,切割一條金屬線。
WLCSP 電路修改執(zhí)行區(qū)域：透過(guò)獨(dú)特的前處理工法，搭配平整快速的有機(jī)護(hù)層局部移除技術(shù)，Site1~3全區(qū)域都能執(zhí)行FIB線路修補(bǔ)。
