芯片電路修改/點(diǎn)針墊偵錯

描述： 聚焦式離子束顯微鏡(Focus Ion Beam)，簡稱FIB)電路修改，原理是利用鎵離子撞擊樣品表面，搭配有機(jī)氣體進(jìn)行有效的選擇性蝕刻(切斷電路)、沉積導(dǎo)體或非導(dǎo)體(新接電路)。

電路修改(FIB circuit) 通過聚焦式離子束顯微鏡(Focus Ion Beam)，即可提供芯片設(shè)計(jì)者直接修改芯片電路，無需重復(fù)改光罩重新投片，不僅可降低經(jīng)費(fèi)，更可加速芯片設(shè)計(jì)原型(Prototype)的驗(yàn)證與量產(chǎn)上市時間(Time-to-market)。

點(diǎn)針墊偵錯 (CAD Probe Pad) 在芯片上做信號擷取點(diǎn)，通過FIB將芯片設(shè)計(jì)者欲量測的信號點(diǎn)引出到芯片表面，并利用機(jī)械式探針(Mechanical Prober) 擷取芯片內(nèi)部信號。

晶背電路修改隨著覆晶封裝基材限制，與先進(jìn)制程演持續(xù)進(jìn)到7nm，金屬繞線層增加以及更為復(fù)雜緊密的電路布局，從晶背(Silicon)進(jìn)行電路修改提升可行性與成功率。

應(yīng)用范圍：

可達(dá)4.5nm分辨率，可執(zhí)行16/14/10nm制程之線路修補(bǔ)；

最大可放置8吋晶圓；

支持 Knights Merlin CAD Navigation 軟件；

高準(zhǔn)確度雷射導(dǎo)引Stage；

內(nèi)建紅外線IR顯微鏡可觀察CMP層及絕緣硅層；

金屬聯(lián)機(jī)材質(zhì)有鎢(阻值較低)及白金(速度較快)兩種選擇；

建置FEI DE/DX蝕刻氣體，應(yīng)用于高深寬比、緊密電路。

檢測圖片：

芯片正面施作修改：