電特性檢測(cè)報(bào)告:KSZ8873MLLI測(cè)試

日期：2021-08-19 13:05:27 瀏覽量：5107 作者：創(chuàng)芯在線(xiàn)檢測(cè)中心

型號(hào) ：KSZ8873MLLI

器件品牌：Microchip

器件封裝：64-lead LQFP

樣品數(shù)量：5 片

檢測(cè)數(shù)量：5 片

收樣日期：2021/08/11

測(cè)試日期：2021/08/16 13:30 - 2021/08/16 17:40

測(cè)試項(xiàng)目：

電特性測(cè)試、高低溫試驗(yàn)

測(cè)試方法及測(cè)試設(shè)備

1.1 測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：

MIL-STD-883L-2019 ?

GJB 128A-1997

1.2 恒溫箱

設(shè)備規(guī)格: JW-2001

1.3 功能測(cè)試設(shè)備

半導(dǎo)體管特性圖示儀 XJ4822：

用示波管顯示半導(dǎo)體器件各種特性曲線(xiàn)，并測(cè)量其靜態(tài)參數(shù)，用于測(cè)量晶體管，二極管，MOSFET 和其他半導(dǎo)體器件。最大集電極電壓高達(dá)3KV（可選）步進(jìn)電壓±10V +△VB ±5V，內(nèi)部電阻低，特別適用于測(cè)試大功率VMOS器件。

1.4 檢測(cè)環(huán)境

環(huán)境溫度: 25±5℃

環(huán)境相對(duì)濕度: 45%-65%RH

1.5 檢測(cè)依據(jù)

《Microchip KSZ8873MLL》: https://www.semiee.com/file/Microchip/Microchip-KSZ8873.pdf

電特性測(cè)試：

高低溫試驗(yàn)：

測(cè)試步驟：

1、常溫測(cè)試電特性是否合格；

2、150 度高溫持續(xù)一小時(shí)，取出后測(cè)試電特性是否合格；

3、-55 度低溫放置一小時(shí)，取出后測(cè)試電特性是否合格；

高低溫試驗(yàn)

1.芯片描述

高級(jí)開(kāi)關(guān)功能綜合配置寄存器支持優(yōu)先 QoS/CoS 數(shù)據(jù)包每個(gè)端口，802.1p 和基于 DiffServ 經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的集成 3 端口 10/100 以太網(wǎng)交換機(jī) 開(kāi)關(guān)監(jiān)測(cè)功能低功耗

2.封裝尺寸