相信從事電子業的朋友都聽說過所謂的“美軍標”，沒錯，它的原名叫做《微電子器件試驗方法和程序》（MIL-STD-883），從1968年問世以來，美軍標不斷發展和完善，被公認為全球微電子器件質量監管的領先體系。
美軍標囊括了一系列試驗方法，涉及微電子器件的來料檢驗和控制、設計檢驗和控制、工藝檢驗和控制、篩選、鑒定和質量一致性檢驗等各個方面。該標準最早應用于軍用器件，但由于其測試內容全面細致，并緊密貼合微電子器件的實際應用，后來也被民用領域采納。不僅如此，世界各國高可靠微電子器件的試驗標準無不以美軍標為藍本，例如我國的GJB548A-96就是以1991年MIL-STD-883的D版為藍本所制定。
背景信息介紹了這么多，那么美軍標實際用于測試的流程是怎樣的呢？我們將以客戶提供的一枚SN74LVC1G08DBVR為實例，給大家分享下美軍標測試的流程。
通過查閱官網規格書可知，SN74LVC1G08DBVR屬于單路雙輸入正與門芯片，工作電壓范圍在1.65V至5.5V。
一般的邏輯門芯片，主要參數為輸入高/低電平電流、輸入高/低電平電壓，輸出高/低電平電壓、電源電流以及相關的時間參數等。美軍標最新版本MIL-STD-883L中對以上部分參數測試方法都有說明，但由于篇幅有限，今天我們主要分享輸出高/低電壓參數的測試方法。
美軍標MIL-STD-883L METHOD 3006.1輸出高電平電壓參數測試方法如下：
以上內容可概括如下：
1. 說明建立此標準的目的及可適用微電子元器件的類型。
2. 測試設備及試驗溫度適應性要求。
3. 測試過程應在最壞的條件（最壞情況的電源電壓和最壞情況的輸入水平）下進行測試。
4. 報告內容應包含測試溫度、輸入/輸出電流、電源電壓、輸入電壓、輸出電壓最小/最大值等。
綜上可知，美軍標對輸出高電平電壓參數的測試方法僅對測試設備及測試條件作出適應性要求，并要求在極限條件下測試。至于具體的測試條件，還要參照元器件規格書的要求。
搭建如下測試電路：
測試步驟：
1. 將被測集成電路（芯片）按規定接到測試電路中。
2. 對測試電路施加最極限的電源電壓和輸入電壓（包括保證的噪聲容限）。
3. 強制電流（等于電路最壞情況下的高電平扇出）施加到測試電路輸出端子。
4. 溫度調整到規定值,并在測試前后立即檢査。
5. 測試輸出端電壓。
備注：每次輸入條件確定后，進行輸出測量。
從官網提供的規格書可知，輸出高電平電壓（VOH）參數在不同的電源條件、電流條件及溫度條件下的參數要求范圍是不一樣的。現在用功能測試機臺TR6850在常溫（25℃）下測試當電源電壓為某一值，按規格書要求在輸入端（A端和B端）施加極限值電壓信號，并在輸出端（Y端）施加對應的電流值，測試其輸出高電平電壓（VOH）是否符合規格書要求。
規格書參數要求如下：
按照規格書要求設定測試條件；
-VOH = 1.55V Min @ VCC = 1.65V, IOH = -100μA, VIH(A&B) = 1.0725V
-VOH = 5.40V Min @ VCC = 5.5V, IOH = -100μA, VIH(A&B) = 3.85V
-VOH =1.2V Min @ VCC = 1.65V, IOH = -4mA, VIH(A&B) = 1.0725V
-VOH = 1.9V Min @ VCC = 2.3V, IOH = -8mA, VIH(A&B) = 1.7V
-VOH = 2.4V Min @ VCC = 3V, IOH = -16mA, VIH(A&B) = 2V
-VOH = 2.3V Min @ VCC = 3V, IOH = -24mA, VIH(A&B) = 2V
-VOH = 3.8V Min @ VCC = 4.5V, IOH = -32mA, VIH(A&B) = 3.15V
編寫測試程序，完成調試，測試界面如下：
測試結果如下：
從測試結果圖片可以看到，輸出高電平電壓（VOH）均符合規格書要求，因此這枚SN74LVC1G08DBVR的VOH在美軍標測試之下屬于合格。
分享到這里相信大家對如何用美軍標測試芯片功能參數已經有了初步的了解，那么輸出低電平電壓（VOL）又該如何測試？其實測試方法跟輸出高電平電壓（VOH）大同小異，在這里也就不占用篇幅過多敘述，對此感興趣的小伙伴可以關注創芯檢測公眾號，我們還將分享更多元器件測試的案例。
創芯在線檢測中心作為專業檢測機構，不僅支持美軍標最新版本的檢測標準，還支持AS681標準以及IDEA-STD-1010-B標準等國際檢測標準，檢測項目涵蓋外觀測試、電特性測試、可焊性測試、X-ray測試以及ROHS測試等十幾個檢測項目。同時，為滿足更多檢測需求，我們還在不斷擴展更多測試項目以及擴建更大的專業實驗室，歡迎大家積極咨和送檢！
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