電子電器產品的安規測試中,絕緣和耐壓測試均是基礎的測試項目之一,有時其的測試意義很容易被混淆。耐壓試驗和絕緣試驗都是對電氣設備的試驗方法。但是一般在做耐壓試驗之前是必須做絕緣試驗的,因為耐壓是破壞性試驗,只有先確保設備絕緣沒有問題,再來打耐壓才不會引起電氣設備不必要的燒毀。今天我們特別整理了一些關于絕緣和耐壓測試的區別說明,希望對大家有所幫助。


一般來講陶瓷電容器失效,就是在正常的工作時間內無法正常工作。陶瓷電容主要用高介電常數材料-陶瓷擠壓成特定形狀作為電介質,表面涂上金屬薄膜,再經高溫燒結后形成電極而成的電容器,用環氧樹脂包封。通常用于高穩定振蕩回路中,作為回路、旁路電容器及墊整電容器。那么,導致陶瓷電容失效的原因通常包括哪些?本文收集整理了一些資料,期望能對各位讀者有比較大的參閱價值。


鹽霧試驗是對鹽霧試驗條件,如溫度、濕度、氯化鈉溶液濃度和PH值等做的明確具體規定,另外還對鹽霧試驗箱性能提出技術要求。鹽霧試驗測試的目的是為了考核產品或金屬材料的耐鹽霧腐蝕質量,而鹽霧試驗結果判定正是對產品質量的宣判,它的判定結果是否正確合理,是正確衡量產品或金屬抗鹽霧腐蝕質量的關鍵。


金屬材料失效分析,是對喪失原有功能的金屬構件或設備損壞原因進行分析研究的技術。對金屬材料失效引發的重大事故進行技術分析是一個復雜的過程,不僅涉及宏觀分析、微觀結構分析、金相組織分析、化學成分分析、硬度測試、力學性能測試、應力測試等多種分析測試技術,而且需要結合大量測試數據,并且綜合得到的信息,包括設計方案、熱處理情況及使用環境等,進行全面系統性的討論分析,最終歸納和推斷引起失效的主要原因。接下來主要介紹脆性斷裂和韌性斷裂的判斷依據,一起來看看吧。


當電子元器件儲存環境濕度過高時,濕氣會透過封裝材料及元器件的接合面進入到IC器件的內部,造成內部電路氧化腐蝕短路,以及組焊接過程中的高溫會使進入IC內部的潮濕氣體受熱膨脹產生壓力,使塑料從芯片或引腳框上的內部分離(脫層)、線捆接損傷、芯片損傷、內部裂紋和延伸到元件表面的裂紋,甚至發生元件鼓脹和爆裂,這將導致組裝件返修甚至報廢。更為重要的是那些看不見的、潛在的缺陷會溶入到產品中去,使產品的可靠性出現問題。其它IC類電子元件,大都也存在潮濕的危害問題。電子元件烘干除氧化就顯得非常重要了。本文收集整理


中性鹽霧試驗和交變鹽霧試驗是鹽霧試驗中使用頻率較多的兩種腐蝕環境試驗類型。大多數情況下,中性鹽霧試驗使用的是標準鹽霧試驗箱,交變鹽霧試驗過程更為復雜,使用的是復合鹽霧試驗箱。中性鹽霧試驗與交變鹽霧試驗有哪些區別?鹽霧試驗除了中性鹽霧試驗,還包括酸性鹽霧試驗、醋酸鹽霧試驗等,而中性鹽霧試驗和交變鹽霧試驗也是做鹽霧試驗中使用率很頻率的兩種腐蝕環境試驗類型,那它們有哪些區別呢?下面一起來看看吧!


無損檢測分為常規檢測技術和非常規檢測技術。常規檢測技術有:超聲檢測UltrasonicTesting(縮寫UT)、射線檢測Radiographic Testing(縮寫RT)、磁粉檢測Magnetic particle Testing(縮寫MT)、滲透檢驗PenetrantTesting (縮寫PT)、渦流檢測Eddy current Testing(縮寫ET)。非常規無損檢測技術有:聲發射Acoustic Emission(縮寫AE)、紅外檢測Infrared(縮寫IR)、激光全息檢測Holo


金相分析是通過光學顯微鏡對研磨、拋光和浸蝕處理后的試樣進行觀察,可以分析試樣的真實顯微組織形貌特征,是材料力學性能研究的基礎。從一定程度來說,普通鋼種金相檢驗難度并不大,但隨著新材料、新技術的應用,檢驗范圍不斷增大,試樣種類也在不斷增加,需從業人員有更多應對措施和技術方法。


電偶腐蝕也叫異金屬腐蝕或接觸腐蝕,是指兩種不同電化學性質的材料在與周圍環境介質構成回路時,電位較正的金屬腐蝕速率減緩,而電位較負的金屬腐蝕加速的現象。材料或構件的電偶腐蝕評價方法主要包括暴露評價實驗、電化學測量等。本文收集整理了一些資料,期望能對各位讀者有比較大的參閱價值。


鹽霧顆粒越細,所形成的表面積越大,被吸附的氧量越多,腐蝕性也越強。自然界中90%以上鹽霧顆粒的直徑為1微米以下,研究成果表明:直徑1微米的鹽霧顆粒表面所吸附的氧量與顆粒內部溶解的氧量是相對平衡的。

